Những chiếc RAM DDR5 phổ biến hiện nay thường có dung lượng 16GB, Startup Neo Semiconductor của Nhật Bản đang cố gắng áp dụng công nghệ 3D X-RAM để tạo ra các chip DRAM với dung lượng lớn hơn gấp 8 lần, đạt 128Gb mỗi chip. Theo tên gọi, kỹ sư tại Neo Semiconductor đã thành công trong việc xếp chồng 230 lớp chất ghi dữ liệu để tạo ra những chip DRAM với dung lượng kể trên.
Mục lục
Nguồn gốc của công nghệ 3D X-RAM
Samsung Foundry dự định sẽ ra mắt sản phẩm thương mại là chip DRAM DDR5 dung lượng 32GB trong năm nay để so sánh với sản phẩm của Neo Semiconductor. Tuy nhiên, Neo Semiconductor cho biết những chiếc chip đầu tiên được sản xuất thử nghiệm sẽ ra mắt vào năm sau, nếu các công ty lớn như Micron, Samsung Semi, SK Hynix và Kingston Technology quan tâm đến việc mua bản quyền sở hữu trí tuệ công nghệ 3D X-RAM của họ.
Neo Semiconductor được thành lập bởi hai nhà sáng lập Andy Hsu và Ray Tsay vào năm 2012 và có trụ sở đại diện tại San Jose, California. Cả hai đều có hơn 55 năm kinh nghiệm làm việc trong ngành bán dẫn, từng làm việc và giảng dạy tại các trường đại học ở Mỹ và Đài Loan.
Bản chất của công nghệ 3D X-RAM
Tương tự như công nghệ 3D NAND, công nghệ 3D X-RAM có thể tạo ra các thanh RAM với dung lượng 1TB vào năm 2024, nếu trang bị 8 chip DRAM trên một mặt PCB của thanh RAM. Trong khi đó, ngành sản xuất chip nhớ đã mất hơn một thập kỷ để tăng dung lượng một thanh RAM từ 4 lên 16GB. Với sự phát triển của công nghệ mới, tốc độ tăng trưởng về mặt dung lượng của RAM từ 16GB lên 1TB là cực kỳ đáng nể.
Quan trọng nhất là với công nghệ này, RAM máy chủ phục vụ cho doanh nghiệp có thể sẽ rẻ hơn. Hiện nay, trên thị trường máy tính cá nhân nước ngoài, một thanh RAM 32GB DDR4 có giá chưa đầy 60 USD, tức là 2 USD mỗi GB dung lượng. Nhưng một thanh RAM máy chủ DDR4 256GB có giá khoảng 2.500 USD, tức là 10 USD mỗi GB.
Công nghệ Neo có thể giúp giảm chi phí sản xuất chip nhớ xuống một cách đáng kể, tương tự như công nghệ 3D NAND đã làm được trên thị trường ổ cứng thể rắn trong vài năm qua. Công nghệ này hấp dẫn bởi vì nó sử dụng kỹ thuật sản xuất hiện có để xếp chồng các lớp NAND trong quá trình sản xuất chip nhớ.
Trong khi đó, các nhà sản xuất máy chủ đang gặp nhiều khó khăn khi thiết kế thêm khe cắm RAM trên bo mạch chủ server do giới hạn không gian. Công nghệ Neo có thể giúp giải quyết vấn đề này bằng cách tạo ra các chip DRAM có mật độ lưu trữ cao hơn, giúp tăng dung lượng RAM gấp 8 đến 10 lần so với hiện tại.
Tương lai của công nghệ 3D X-RAM
Với dung lượng RAM 1TB, các hệ thống máy chủ có thể vận hành RAM như một ổ cứng, với tốc độ nhanh hơn bất kỳ công nghệ lưu trữ nào khác hiện nay. Công nghệ Intel 3D X-Point, sản phẩm thương mại gọi là Optane, từng được sử dụng để tăng tốc độ gửi dữ liệu từ HDD tốc độ thấp vào RAM, nhưng không khả thi với SSD.
Nếu có RAM dung lượng 512GB hay 1TB, thì trong tương lai các thiết bị tiêu dùng có thể chỉ cần RAM, không cần tới ổ cứng lưu trữ để vận hành phần mềm và các ứng dụng nữa. Một số doanh nghiệp đã sử dụng dịch vụ VPN với máy chủ chỉ trang bị RAM, mỗi lần khởi động lại, hệ điều hành và phần mềm sẽ được tải hết vào RAM mà không cần SSD hoặc HDD.
Nguồn: Techradar
