Samsung công bố thông số kỹ thuật của chuẩn VRAM GDDR6W chưa đầy 2 tháng sau khi giới thiệu thông số kỹ thuật GDDR7. Có vẻ như các sản phẩm tích hợp chip GDDR7 VRAM có thể mất nhiều thời gian hơn để tung ra thị trường, vì Samsung tuyên bố rằng tiêu chuẩn JEDEC cho các sản phẩm GDDR6W VRAM đã được hoàn thành vào quý 2 năm nay và gã khổng lồ Hàn Quốc đang có kế hoạch đưa tiêu chuẩn này lên desktop và lĩnh vực điện toán càng sớm càng tốt.
Vè mặt hiệu suất, bên cạnh việc cung cấp băng thông cao hơn gấp đôi so với GDDR6 ban đầu, chuẩn GDDR6W còn cung cấp dung lượng lên đến 4GB với mỗi DRAM và I/O 64 bits. Cụ thể, trên mỗi khuôn RAM, dung lượng DRAM được tăng từ 16GB lên 32GB mỗi khuôn, trong khi pin I / O tăng gấp đôi từ 32 lên 64 bit. Điều này không chỉ giúp giảm 50% diện tích so với GDDR6X mà FOWLP còn giảm chiều cao của khuôn từ 1,1 mm xuống 0,7 mm bằng cách loại bỏ lớp đế PCB và thay thế bằng một tấm silicon tích hợp chính chip VRAM.
Samsung cho biết công nghệ GDDR6W VRAM hỗ trợ băng thông HBM một cách hiệu quả hơn. Trong khi HBM2E có băng thông 1.6TB/s với 4096 chân I/O và tốc độ truyền 3.2 Gbps trên mỗi chân, tiêu chuẩn GDDR6W mới cung cấp băng thông 1.4TB/s với 512 chân I/O và tốc độ 22Gbps mỗi chân. Giảm số lượng chân cắm I/O xuống 8 lần về cơ bản giúp tiết kiệm chi phí hơn cho các nhà suất sử dụng công nghệ này lên sản phẩm của mình. Để tham khảo, GDDR6X cung cấp băng thông lên đến 1.1TB/s, vì vậy GDDR6W sẽ nhanh hơn ~ 30%. Mặt khác, GDDR7 dự kiến sẽ cung cấp băng thông 1.7TB/s trên bus 384 bit.
